%0 Journal Article
%T SiC单晶的性质、生长及应用
%A 王世忠
%A 徐良瑛
%A 束碧云
%A 肖兵
%A 庄击勇
%A 施尔畏
%J 无机材料学报
%D 1999
%X 摘要： 本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ Ｃ单晶中所存在的缺陷及其成因
%K 碳化硅
%K 单晶
%K 生长
%K 物理性质
%K 半导体器件
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract9509.shtml