V2O5对 BaTiO3-Y2O3-MgO陶瓷性能的影响

摘要： 研究了V2O5掺杂BaTiO3-Y2O3-MgO系陶瓷的显微结构和介电性能. SEM显示V2O5会促进该体系晶粒生长, 降低陶瓷致密度. XRD显示V掺杂样品均为单一赝立方相, 其固溶度>1.0mol%. 研究表明, V离子能有效抑制掺杂离子Y、Mg向BaTiO3晶粒内扩散, 改变掺杂离子在晶粒中分布, 从而形成薄壳层的壳芯晶粒, 因此V能提高居里峰的强度并改善电容温度稳定性. 多价V离子在还原气氛中以+3、+4为主, 能增强瓷料的抗还原性, 提高绝缘电阻率(1013Ω·cm)、降低介电损耗(0.63%). 该体系掺杂0.1mol%V时, 介电常数达到2600, 满足X8R标准.