%0 Journal Article
%T V2O5对 BaTiO3-Y2O3-MgO陶瓷性能的影响
%A 周晓华
%A 张树人
%A 李 波
%J 无机材料学报
%D 2007
%X 摘要： 研究了V2O5掺杂BaTiO3-Y2O3-MgO系陶瓷的显微结构和介电性能. SEM显示V2O5会促进该体系晶粒生长, 降低陶瓷致密度. XRD显示V掺杂样品均为单一赝立方相, 其固溶度>1.0mol%. 研究表明, V离子能有效抑制掺杂离子Y、Mg向BaTiO3晶粒内扩散, 改变掺杂离子在晶粒中分布, 从而形成薄壳层的壳芯晶粒, 因此V能提高居里峰的强度并改善电容温度稳定性. 多价V离子在还原气氛中以+3、+4为主, 能增强瓷料的抗还原性, 提高绝缘电阻率(1013Ω·cm)、降低介电损耗(0.63%). 该体系掺杂0.1mol%V时, 介电常数达到2600, 满足X8R标准.
%K 钛酸钡
%K 五氧化二钒
%K 显微结构
%K 介电性能
%K 多层陶瓷电容器
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2007.00706