溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

摘要： 采用射频磁控溅射工艺，在（111）Pt／Ti／SiO2／Si衬底上用PZT（53／47）陶瓷靶制备铁电薄膜．用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理．薄膜的相结构由XRD确定．通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度，研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响．实验表明，在不同的溅射气氛和衬底温度条件下，薄膜会经历不同的相变过程．用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能，在外加电压为5V时，Pr=14.6μC／cm2，Ec＝82．gkV／cm．