%0 Journal Article
%T 溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响
%A 曾晟
%A 丁爱丽
%A 仇萍荪
%A 何夕云
%A 罗维根
%J 无机材料学报
%D 1999
%X 摘要： 采用射频磁控溅射工艺，在（111）Pt／Ti／SiO2／Si衬底上用PZT（53／47）陶瓷靶制备铁电薄膜．用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理．薄膜的相结构由XRD确定．通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度，研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响．实验表明，在不同的溅射气氛和衬底温度条件下，薄膜会经历不同的相变过程．用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能，在外加电压为5V时，Pr=14.6μC／cm2，Ec＝82．gkV／cm．
%K 射频磁控溅射
%K 铁电薄膜
%K 烧绿石相
%K 钙钛矿相
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract11278.shtml