Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜

摘要： 采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm2/(V·s), 空穴浓度为4.92×1017/cm3. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.