%0 Journal Article
%T Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜
%A 叶志镇
%A 曾昱嘉
%A 朱丽萍
%A 赵炳辉
%A 陈兰兰
%A 卢洋藩
%J 无机材料学报
%D 2006
%X 摘要： 采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm2/(V·s), 空穴浓度为4.92×1017/cm3. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.
%K p-ZnO
%K 磁控溅射
%K 共掺
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2006.01511