不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

摘要： 采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒, 并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征. 结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒, 反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒. 并对纳米棒进行了光电性能测定, 纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE. CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.