%0 Journal Article
%T 不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究
%A 殷志刚
%A 郝彦忠
%J 无机材料学报
%D 2007
%X 摘要： 采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒, 并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征. 结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒, 反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒. 并对纳米棒进行了光电性能测定, 纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE. CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.
%K CdSe纳米棒
%K 光电化学
%K CdSe/PMeT复合膜电极
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2007.00413