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- 2004
KHg4InSe6的固相合成和性能研究Abstract: 采用反应性熔盐法,在550 ℃下合成KHg4InSe6.用扫描电子显微镜(SEM)观察了该晶体的表观结构,该晶体为片状晶体.采用EPM-810Q电子探针显微分析仪对产物晶体进行元素定性定量测定,经EDS分析确定了化合物的原子数比为NK∶NHg∶NIn∶NSe≈1∶4∶1∶6,并用X射线粉末衍射(XRD)证实该化合物为新晶体.经差热分析,该晶体在300 ℃以下是稳定的.晶体的光吸收特性表明,该晶体具有0.5 eV的能隙,属于半导体.
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