%0 Journal Article
%T KHg4InSe6的固相合成和性能研究
%A 冯秀玲
%A 张丽丹
%J 北京化工大学学报(自然科学版)
%D 2004
%X 采用反应性熔盐法,在550 ℃下合成KHg4InSe6.用扫描电子显微镜(SEM)观察了该晶体的表观结构,该晶体为片状晶体.采用EPM-810Q电子探针显微分析仪对产物晶体进行元素定性定量测定,经EDS分析确定了化合物的原子数比为NK∶NHg∶NIn∶NSe≈1∶4∶1∶6,并用X射线粉末衍射(XRD)证实该化合物为新晶体.经差热分析,该晶体在300 ℃以下是稳定的.晶体的光吸收特性表明,该晶体具有0.5 eV的能隙,属于半导体.
%U http://www.journal.buct.edu.cn/CN/abstract/abstract12888.shtml