雾化抛光氮化硅陶瓷基体的工艺参数优化

通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光，研究抛光工艺参数（抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速）对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标，根据正交试验结果得到最优参数组合，并与传统的抛光效果进行试验对比。结果表明：研究的3种参数中，对材料去除率的影响程度由高到低依次为雾液流量、抛光压力、抛光盘转速，对抛光后工件表面粗糙度的影响程度由高到低依次为抛光盘转速、雾液流量、抛光压力；在相同的实验条件下，精细雾化抛光的材料去除率与表面粗糙度与传统抛光接近，但精细雾化抛光的抛光液用量仅为传统用量的12.5%，有效减少了资源的浪费