%0 Journal Article
%T 雾化抛光氮化硅陶瓷基体的工艺参数优化
%A 朱强
%A 李庆忠
%A 高渊魁
%J 润滑与密封
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.0254-0150.2017.11.018
%X 通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光，研究抛光工艺参数（抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速）对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标，根据正交试验结果得到最优参数组合，并与传统的抛光效果进行试验对比。结果表明：研究的3种参数中，对材料去除率的影响程度由高到低依次为雾液流量、抛光压力、抛光盘转速，对抛光后工件表面粗糙度的影响程度由高到低依次为抛光盘转速、雾液流量、抛光压力；在相同的实验条件下，精细雾化抛光的材料去除率与表面粗糙度与传统抛光接近，但精细雾化抛光的抛光液用量仅为传统用量的12.5%，有效减少了资源的浪费
%K 正交试验 工艺参数 雾化抛光 氮化硅陶瓷 表面粗糙度
%U http://www.rhymf.com.cn/tg/rhymf/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=RF20170025&flag=1