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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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sic埋层结构与c~+注入剂量关系
Keywords: mevva离子源,离子束合成,sic埋层
Abstract:
？采用metalvaporvacuumarc(mevva)离子源的离子束合成法,往si衬底注入剂量为3.0×1017～1.6×1018cm-2的c+制成sic埋层,c+离子束的引出能量为50kev.光电子能谱和红外吸收谱表明sic埋层的结构特征明显地依赖于剂量,采用mevva离子源可以在平均衬底温度低于400℃时得到含有立方结构的sic埋层.
| [1] | 1i.h.wilson,ionbeammodificationofinsulators(newyork,elsevier,1987)p.245
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| [2] | 2a.nejim,p.l.f.hemment,j.stoemenos,appl.phys.lett.66(20),2646(1995)
|
| [3] | 3i.g.brown,j.e.galvin,b.f.grvin,r.a.macgill,rev.sci.instrum.57(6),1069(1986)
|
| [4] | 4h.yan,r.w.m.kwok,s.p.wong,appl.sci.science92,61(1996)
|
| [5] | 5w.g.spitzer,d.a.klelnman,c.j.frosch,phys.rev.113(1),133(1957)
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| [6] | 6j.a.borders,s.t.picraux,w.beezhold,appl.phys.lett.18(6),509(1971)c
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