%0 Journal Article
%T sic埋层结构与c~+注入剂量关系
%A 严辉
%A 陈光华
%J 材料研究学报
%D 1998
%X ？采用metalvaporvacuumarc(mevva)离子源的离子束合成法,往si衬底注入剂量为3.0×1017～1.6×1018cm-2的c+制成sic埋层,c+离子束的引出能量为50kev.光电子能谱和红外吸收谱表明sic埋层的结构特征明显地依赖于剂量,采用mevva离子源可以在平均衬底温度低于400℃时得到含有立方结构的sic埋层.
%K mevva离子源
%K 离子束合成
%K sic埋层
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract15708.shtml