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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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掺v_2o_5对sno_2气敏性能的影响
Keywords: sno_2,掺杂,电学行为,前线轨道
Abstract:
？研究了修v2o5对sno2元件电阻和稳定性的影响.掺杂后,稳定性提高但灵敏度下降;掺杂量0.56wt%肘,电阻上升.利用量子化学分析机理.结果表明:由于v5+的掺入,提高了sno2晶胞前线轨道及材料的稳定性;在掺杂量少时,由于氧原子的空穴态和锡原子的电子态增加,使材料的电阻下降,在掺杂量多时,因电子输运轨道受阻导致电阻增大.
| [1] | 1杨建红,王化章,尹周澜等．功能材料,1992;23(5):2842林化新,范淑华,孙金凤等．化学传感器,1993;13(2):143朱文会,徐甲强,颜克球等．应用科学学报,1993;11(2):1044陈春华,刘杏芹,徐文东等．传感技术学报1992;;5(4):175mullere．actacryst,1984;b40:3596康昌鹤,唐省吾．气湿敏感器件及其应用．北京:科学出版社,1991:647poleja,deveridgedl．approximatemolecularorbitaltheory,mcgraw-hill．1970:20-858王志中,李向东．半经验分子轨道理论实践,北京:科学出版社,1981:629郭进,邓希敏,黄津梨等．化学物理学根,1994;179(6):546
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