%0 Journal Article
%T 掺v_2o_5对sno_2气敏性能的影响
%A 邓希敏
%A 郭进
%A 黄津梨
%J 材料研究学报
%D 1995
%X ？研究了修v2o5对sno2元件电阻和稳定性的影响.掺杂后,稳定性提高但灵敏度下降;掺杂量0.56wt%肘,电阻上升.利用量子化学分析机理.结果表明:由于v5+的掺入,提高了sno2晶胞前线轨道及材料的稳定性;在掺杂量少时,由于氧原子的空穴态和锡原子的电子态增加,使材料的电阻下降,在掺杂量多时,因电子输运轨道受阻导致电阻增大.
%K sno_2
%K 掺杂
%K 电学行为
%K 前线轨道
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract16065.shtml