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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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退火对氧敏ceo_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响
Keywords: 二氧化铈,薄膜,晶体结构,退火
Abstract:
？用射频磁控溅射法制备了ceo2-x高温氧敏薄膜.用ce3d的xps谱计算了ce3+浓度.研究了退火条件对氧敏ceo2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响xrd和afm分析表明,薄膜经973k至1373k退火后,形成了caf2型结构的ceo2-x,其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.退火温度在973k至1173k时,(200)晶面是择优取向的,在1373k退火4h后,可得到热力学稳定的ceo2-x,在退火前后薄膜表面存在少量ce3+.
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Full-Text
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