%0 Journal Article
%T 退火对氧敏ceo_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响
%A 杜新华
%A 刘振祥
%A 谢侃
%A 王燕斌
%A 褚武扬
%J 材料研究学报
%D 1998
%X ？用射频磁控溅射法制备了ceo2-x高温氧敏薄膜.用ce3d的xps谱计算了ce3+浓度.研究了退火条件对氧敏ceo2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响xrd和afm分析表明,薄膜经973k至1373k退火后,形成了caf2型结构的ceo2-x,其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.退火温度在973k至1173k时,(200)晶面是择优取向的,在1373k退火4h后,可得到热力学稳定的ceo2-x,在退火前后薄膜表面存在少量ce3+.
%K 二氧化铈
%K 薄膜
%K 晶体结构
%K 退火
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract15631.shtml