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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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sn掺杂ge--sb--te相变薄膜的晶化特性
Keywords: 无机非金属材料,ge2sb2te5,sn掺杂,热致相变
Abstract:
？用磁控溅射法制备了掺杂sn的ge2sb2te5相变材料薄膜,研究了sn含量对结晶性能的影响.薄膜的x射线衍射(xrd)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现sn-te相.通过示差扫描量热(dsc)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂sn后的ge-sb-te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
| [1] | 4gusipeng,houlisong,liubo,actaopticasinica,22(9),1137(2002)(顾四朋,侯立松,刘波,光学学报,22(9),1137(2002))
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| [2] | 5gusipeng,houlisong,j.inorg.mater.,17(6),1258(2002)(顾四朋,侯立松,无机材料学报,17(6),1258(2002))
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| [3] | 6gusipeng,houlisong,zhaoqitao,huangruian,actaopticasinica(inpress)(顾四朋,侯立松,赵启涛,黄瑞安,光学学报,待发表)
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