%0 Journal Article
%T sn掺杂ge--sb--te相变薄膜的晶化特性
%A 顾四朋
%A 侯立松
%A 赵启涛
%J 材料研究学报
%D 2004
%X ？用磁控溅射法制备了掺杂sn的ge2sb2te5相变材料薄膜,研究了sn含量对结晶性能的影响.薄膜的x射线衍射(xrd)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现sn-te相.通过示差扫描量热(dsc)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂sn后的ge-sb-te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
%K 无机非金属材料
%K ge2sb2te5
%K sn掺杂
%K 热致相变
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract951.shtml