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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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表面张力温度系数对硅单晶生长的影响
Keywords: 材料科学基础学科,全局分析,有限元方法
Abstract:
？利用有限元方法对硅单晶czochralski(cz)法生长炉内的流动和传输过程进行了全局数值模拟,研究了表面张力温度系数对硅单晶生长过程的影响,模拟的表面张力温度系数范围是(0-0.35)×10-3n/m？k.结果表明:随着表面张力温度系数的增加,由marangoni效应驱动的熔体表面流动能强化熔体的自然对流,从而减小了通过熔体自由界面的温差,降低了加热器的功率.但是,结晶界面更凸向熔体,在结晶界面处晶体内的轴向温度梯度减小;对常规cz炉,结晶界面处的平均氧浓度先减小然后增大,而对于具有气体导板的cz炉,marangoni效应总是使结晶界面处的平均氧浓度减小.
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