%0 Journal Article
%T 表面张力温度系数对硅单晶生长的影响
%A 李友荣()
%A 邓努波(
%A )
%A 吴双应()
%A 彭岚()
%A 李明伟
%J 材料研究学报
%D 2005
%X ？利用有限元方法对硅单晶czochralski(cz)法生长炉内的流动和传输过程进行了全局数值模拟,研究了表面张力温度系数对硅单晶生长过程的影响,模拟的表面张力温度系数范围是(0-0.35)×10-3n/m？k.结果表明:随着表面张力温度系数的增加,由marangoni效应驱动的熔体表面流动能强化熔体的自然对流,从而减小了通过熔体自由界面的温差,降低了加热器的功率.但是,结晶界面更凸向熔体,在结晶界面处晶体内的轴向温度梯度减小;对常规cz炉,结晶界面处的平均氧浓度先减小然后增大,而对于具有气体导板的cz炉,marangoni效应总是使结晶界面处的平均氧浓度减小.
%K 材料科学基础学科
%K 全局分析
%K 有限元方法
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1552.shtml