bn-303光刻胶前烘工艺对mems三维结构的影响

？利用传统紫外光曝光方式,通过扫描电镜观察了刻蚀后样品的表面形貌,定性地讨论前烘工艺对mems三维结构的影响。得到优化的工艺为:在对氧化后的硅片进行标准清洗,烘箱温度200℃活化表面30min。涂胶旋转速度600r/min,旋转15s,曝光时间为17s的条件下,最佳前烘温度为80℃,时间为30min。研究结果为微器件的制造提供了一些可靠的工艺参数。