%0 Journal Article
%T bn-303光刻胶前烘工艺对mems三维结构的影响
%A 蒋玉荣
%J 武汉理工大学学报
%D 2007
%X ？利用传统紫外光曝光方式,通过扫描电镜观察了刻蚀后样品的表面形貌,定性地讨论前烘工艺对mems三维结构的影响。得到优化的工艺为:在对氧化后的硅片进行标准清洗,烘箱温度200℃活化表面30min。涂胶旋转速度600r/min,旋转15s,曝光时间为17s的条件下,最佳前烘温度为80℃,时间为30min。研究结果为微器件的制造提供了一些可靠的工艺参数。
%K 光刻
%K bn-303光刻胶
%K 前烘
%K 显影
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=25787