cu对fe:in2o3稀磁半导体结构和磁性能的影响

？采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体(in0.9-xfe0.1cux)2o3（x＝0～0.03）。分别用xrd和vsm对样品的结构和性能进行了表征。研究表明：样品在0≤x≤0.01时，均为单相结构且晶格常数随cu的含量x的增大而减小；而x＞0.01后，出现杂质相且晶格常数随cu的含量x的增大而增大。在无cu掺杂和高掺杂时样品均表现为室温顺磁性，而cu适量掺杂的样品在室温下具有铁磁性，研究表明室温铁磁性与载流子浓度、3d原子浓度密切相关。