%0 Journal Article
%T cu对fe:in2o3稀磁半导体结构和磁性能的影响
%A 李咪
%A 孙志刚
%A 蔡〓勇
%A 高洪
%A 陈炎兵
%A 段伟
%A 顾尔丹
%J 武汉理工大学学报
%D 2009
%X ？采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体(in0.9-xfe0.1cux)2o3（x＝0～0.03）。分别用xrd和vsm对样品的结构和性能进行了表征。研究表明：样品在0≤x≤0.01时，均为单相结构且晶格常数随cu的含量x的增大而减小；而x＞0.01后，出现杂质相且晶格常数随cu的含量x的增大而增大。在无cu掺杂和高掺杂时样品均表现为室温顺磁性，而cu适量掺杂的样品在室温下具有铁磁性，研究表明室温铁磁性与载流子浓度、3d原子浓度密切相关。
%K in2o3
%K 稀释磁性半导体
%K 高温固相反应法
%K 室温铁磁性
%K 载流子浓度
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=31274