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天津大学学报(自然科学与工程技术版) 2007
多孔硅形成过程及孔隙率的计算机模拟, PP. 473-478 Abstract: 为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,基于montecarlo和扩散限制模型(dla)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐蚀半径和腐蚀几率等参数,用matlab来实现.模拟得到了电流密度、hf酸浓度、腐蚀时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近.因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程.
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