%0 Journal Article
%T 多孔硅形成过程及孔隙率的计算机模拟
%A 胡明
%A 张绪瑞
%A 张伟
%A 杨海波
%A 周庆瑜
%J 天津大学学报(自然科学与工程技术版)
%P 473-478
%D 2007
%X 为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,基于montecarlo和扩散限制模型(dla)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐蚀半径和腐蚀几率等参数,用matlab来实现.模拟得到了电流密度、hf酸浓度、腐蚀时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近.因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程.
%K 多孔硅
%K 孔隙率
%K 计算机模拟
%U http://xbzrb.tjujournals.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200704018