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天津大学学报(自然科学与工程技术版) 2005
一种半导体压力传感器, PP. 901-903 Abstract: 根据有限元工具ansys的分析结果,设计了一种半导体压阻式压力传感器――绝缘体上硅(soi)压力传感器,并完成了制作.测试表明,除具有良好的静态特性之外,与同类压力传感器相比,soi压力传感器的工作温区宽,最高工作温度可达220℃;稳定性高,30d内的零点漂移小于0.2%;温度特性好,灵敏度温度系数约为-5.1×10-4/℃.此外传感器的结构简单,采用半导体集成电路平面工艺结合微机械加工技术制作,易于实现批量生产,有广阔的应用前景.
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