碳化硅薄膜制备及其场发射特性

采用热丝化学气相沉积法在si(111)、ti(101)衬底上制备了sic薄膜,并利用x射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱(ftir)对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.xrd结果表明,制备的sic薄膜呈现3c-sic结晶相,有很好的择优取向性.ftir谱显示,薄膜的吸收特性主要为si―c键的吸收,其吸收峰为804？95cm-1.从原子力显微镜对sic薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密.此外,在高真空系统中(6？0×10-4pa)对生长的sic薄膜进行场致发射特性测试,结果表明生长的sic薄膜具有场致发射特性:样品的开启电压为82？1v/μm,最大电流密度为631？5μa/cm2.