%0 Journal Article
%T 碳化硅薄膜制备及其场发射特性
%A 赵　武
%A 张志勇
%A 闫军锋
%A 翟春雪
%A ？江妮
%A 邓周虎
%J 天津大学学报(自然科学与工程技术版)
%P 28-32
%D 2008
%X 采用热丝化学气相沉积法在si(111)、ti(101)衬底上制备了sic薄膜,并利用x射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱(ftir)对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.xrd结果表明,制备的sic薄膜呈现3c-sic结晶相,有很好的择优取向性.ftir谱显示,薄膜的吸收特性主要为si―c键的吸收,其吸收峰为804？95cm-1.从原子力显微镜对sic薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密.此外,在高真空系统中(6？0×10-4pa)对生长的sic薄膜进行场致发射特性测试,结果表明生长的sic薄膜具有场致发射特性:样品的开启电压为82？1v/μm,最大电流密度为631？5μa/cm2.
%K 碳化硅薄膜
%K 场致发射
%K i-v特性
%U http://xbzrb.tjujournals.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200801006