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天津大学学报(自然科学与工程技术版) 2006
平面型共振隧穿二极管和其组成mobile, PP. 1360-1363 Keywords: 平面型共振隧穿二极管,离子注入,峰谷电流比 Abstract: 为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在n+gaas衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的i-v特性,测得的峰谷电流比为3.4.研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元,实现了作为反相器的功能.
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