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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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压埋法制备mgb2超导材料的工艺
DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2003.03.011, PP. 52-55
Keywords: 临界温度,烧结温度,保温时间,剩余电阻率比
Abstract:
介绍了一种用压埋法合成块状mgb2超导体的新方法.采用该方法得到的样品的临界温度可高达38.4k,与常规方法得到的样品的临界温度相近.对这种方法的合成工艺进行了探讨,发现烧结温度(ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大.在相同的0.5h保温时间条件下,烧结温度在1073～1123k温区获得的样品临界温度最高.固定烧结温度(1123k),不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低.进一步对样品的剩余电阻率比(rrr)进行研究,实验结果表明随着rrr数值的增加临界转变温度下降.这可能与样品内过量的杂质有关.
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