%0 Journal Article
%T 压埋法制备mgb2超导材料的工艺
%A 吴涛
%A 蔡永明
%A 崔运国
%A 顾大伟
%A 袁丕方
%A 沈临江
%J 南京工业大学学报(自然科学版)
%P 52-55
%D 2003
%R 10.3969/j.issn.1671-7627.2003.03.011
%X 介绍了一种用压埋法合成块状mgb2超导体的新方法.采用该方法得到的样品的临界温度可高达38.4k,与常规方法得到的样品的临界温度相近.对这种方法的合成工艺进行了探讨,发现烧结温度(ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大.在相同的0.5h保温时间条件下,烧结温度在1073～1123k温区获得的样品临界温度最高.固定烧结温度(1123k),不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低.进一步对样品的剩余电阻率比(rrr)进行研究,实验结果表明随着rrr数值的增加临界转变温度下降.这可能与样品内过量的杂质有关.
%K 临界温度
%K 烧结温度
%K 保温时间
%K 剩余电阻率比
%U http://zrb.njutxb.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200303011