氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能

考察了在600℃以下通过反应alcl3+nh3→aln+3hcl制备aln纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得aln纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500~600℃温区内制得的aln纳米锥的开启电场处于14.2~20v·μm-1范围，且随制备温度升高而减小。结果表明aln纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。