%0 Journal Article
%T 氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能
%A 裴笑竹？
%A 赖宏伟？
%A 张永亮？
%A 蔡婧？
%A 吴强？
%A 王喜章？
%J 无机化学学报
%P 1719-1724
%D 2014
%X 考察了在600℃以下通过反应alcl3+nh3→aln+3hcl制备aln纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得aln纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500~600℃温区内制得的aln纳米锥的开启电场处于14.2~20v·μm-1范围，且随制备温度升高而减小。结果表明aln纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。
%K 氮化铝
%K 低温生长
%K 化学气相沉积
%K 场发射
%K 纳米锥
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20140733&flag=1