改进的两温区气相输运法合成碘化铅(pbi2)多晶

采用改进的两温区气相输运合成方法(mtvtm)合成pbi2多晶原料，简化了合成工艺，有效避免了合成安瓿爆炸。xrd分析结果表明：新方法合成的pbi2多晶原料纯度高，具有2h结构，p3ml空间群，晶格常数a=b=0.4560nm，c=0.6979nm。以此为原料，用垂直布里奇曼法(vbm)生长出电阻率达1013ω·cm的pbi2单晶体。