%0 Journal Article
%T 改进的两温区气相输运法合成碘化铅(pbi2)多晶
%A 赵　欣？
%A 金应荣？
%A 贺　毅？
%J 无机化学学报
%P 298-302
%D 2011
%X 采用改进的两温区气相输运合成方法(mtvtm)合成pbi2多晶原料，简化了合成工艺，有效避免了合成安瓿爆炸。xrd分析结果表明：新方法合成的pbi2多晶原料纯度高，具有2h结构，p3ml空间群，晶格常数a=b=0.4560nm，c=0.6979nm。以此为原料，用垂直布里奇曼法(vbm)生长出电阻率达1013ω·cm的pbi2单晶体。
%K 碘化铅
%K 多晶合成
%K 气相输运
%K 晶体生长
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20110216&flag=1