不同金属缓冲层对gan薄膜的光学及电学性能的影响

本文以金属ga和nh3为原料，al、ni和fe为金属缓冲层，采用化学气相沉积法(cvd)在si(100)衬底上合成了gan微米薄膜。利用x射线衍射仪(xrd)、场发射扫描电子显微镜(fesem)、能量弥散x射线谱(eds)、光致发光光谱(pl)和霍尔效应测试仪(hms-3000)等对gan微米薄膜进行表征。结果表明，所有样品均为六方纤锌矿结构；样品均出现了很强的近带边紫外发射峰和半峰宽较大的中心波长为672nm红光发射峰；不同样品的电学性能差异较大。最后对合成的gan微米薄膜的可能形成机理进行了简单分析。