%0 Journal Article
%T 不同金属缓冲层对gan薄膜的光学及电学性能的影响
%A 翟化松？
%A 余春燕？
%A 高昂？
%A 姜武？
%A 王坤鹏？
%A 许并社？
%J 无机化学学报
%P 597-602
%D 2014
%X 本文以金属ga和nh3为原料，al、ni和fe为金属缓冲层，采用化学气相沉积法(cvd)在si(100)衬底上合成了gan微米薄膜。利用x射线衍射仪(xrd)、场发射扫描电子显微镜(fesem)、能量弥散x射线谱(eds)、光致发光光谱(pl)和霍尔效应测试仪(hms-3000)等对gan微米薄膜进行表征。结果表明，所有样品均为六方纤锌矿结构；样品均出现了很强的近带边紫外发射峰和半峰宽较大的中心波长为672nm红光发射峰；不同样品的电学性能差异较大。最后对合成的gan微米薄膜的可能形成机理进行了简单分析。
%K gan微米薄膜
%K 金属缓冲层
%K 化学气相沉积
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20140320&flag=1