pd掺杂tio2纳米管阵列的制备及氢敏性能

采用电化学阳极氧化的方法，以含f-的溶液为电解液，在金属钛基底表面生长出规则排列的tio2纳米管阵列，并通过电化学沉积的方法对之进行金属pd掺杂。利用xrd、sem和tem对样品进行分析表征，并测试了样品的氢敏性能。结果表明，用此种方法制备的pd掺杂的tio2纳米管阵列具有良好的氢气敏感性能，适当掺pd的样品在较低温度(80℃)下对0.01ml·l-1的h2具有良好的灵敏性(灵敏度s=14)。