%0 Journal Article
%T pd掺杂tio2纳米管阵列的制备及氢敏性能
%A 吕 怡？
%A 凌云汉？
%A 马 洁？
%A 任富建？
%A 许军娜？
%J 无机化学学报
%P 627-632
%D 2010
%X 采用电化学阳极氧化的方法，以含f-的溶液为电解液，在金属钛基底表面生长出规则排列的tio2纳米管阵列，并通过电化学沉积的方法对之进行金属pd掺杂。利用xrd、sem和tem对样品进行分析表征，并测试了样品的氢敏性能。结果表明，用此种方法制备的pd掺杂的tio2纳米管阵列具有良好的氢气敏感性能，适当掺pd的样品在较低温度(80℃)下对0.01ml·l-1的h2具有良好的灵敏性(灵敏度s=14)。
%K tio2纳米管阵列
%K 电化学
%K pd掺杂
%K 氢气敏感
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20100413&flag=1