在ito导电衬底上室温电沉积高取向的cubr薄膜

室温下，通过简单的电沉积过程还原cubr2水溶液可在ito导电衬底上生长出高取向的cubr晶体。用x-射线衍射仪(xrd)、扫描电镜(sem)对样品进行了表征。结果表明：cubr晶体生长沿着<111>晶轴方向具有优先取向。通过烷基咪唑四氟硼酸盐[bmim][bf4]离子液体来调控电沉积cubr的晶体形貌，添加[bmim][bf4]后，cubr晶体生长(111)面优先取向大大削弱。对离子液体调控cubr晶体形貌的机理进行了初步探讨。