%0 Journal Article
%T 在ito导电衬底上室温电沉积高取向的cubr薄膜
%A 李　赫？
%A 徐铸德？
%J 无机化学学报
%P 231-235
%D 2009
%X 室温下，通过简单的电沉积过程还原cubr2水溶液可在ito导电衬底上生长出高取向的cubr晶体。用x-射线衍射仪(xrd)、扫描电镜(sem)对样品进行了表征。结果表明：cubr晶体生长沿着<111>晶轴方向具有优先取向。通过烷基咪唑四氟硼酸盐[bmim][bf4]离子液体来调控电沉积cubr的晶体形貌，添加[bmim][bf4]后，cubr晶体生长(111)面优先取向大大削弱。对离子液体调控cubr晶体形貌的机理进行了初步探讨。
%K cubr
%K 电沉积
%K 高取向
%K 离子液体
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20090208&flag=1