sti应力对90nmsonos存储器的影响分析

随着cmos工艺按比例缩小到90nm以下，浅沟槽隔离(sti)引起的机械应力对mosfet器件性能的影响越来越严重。通过实验和tcad仿真研究了sti应力对一种sonos结构的90nm非易失存储器的影响。实验和仿真结果表明由于受到sti压应力的作用，靠近sti的sonos边角存储单元和远离sti的中心存储单元存在阈值电压分布不一致的问题。为了减小sti应力对边角存储单元的影响，分别采用stirecess和stisi3n4liner两种工艺去减缓sti产生的压应力。tcad仿真结果表明采用sti