%0 Journal Article
%T sti应力对90nmsonos存储器的影响分析
%A 徐跃
%A 闫锋
%J 南京邮电大学学报(自然科学版)
%P 80-83
%D 2010
%X 随着cmos工艺按比例缩小到90nm以下，浅沟槽隔离(sti)引起的机械应力对mosfet器件性能的影响越来越严重。通过实验和tcad仿真研究了sti应力对一种sonos结构的90nm非易失存储器的影响。实验和仿真结果表明由于受到sti压应力的作用，靠近sti的sonos边角存储单元和远离sti的中心存储单元存在阈值电压分布不一致的问题。为了减小sti应力对边角存储单元的影响，分别采用stirecess和stisi3n4liner两种工艺去减缓sti产生的压应力。tcad仿真结果表明采用sti
%K 浅沟道隔离
%K 机械应力
%K 非易失存储器
%K 氮化硅衬垫
%U http://nyzr.njupt.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=201004013&flag=1