6h-sicγ辐照的正电子研究

用正电子湮没寿命谱(pals)方法对经过不同剂量γ辐照的n型6hsic内的缺陷进行研究。实验表明，辐照可以使样品内部产生单空位缺陷vc。对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现,低剂量的γ辐照对n型6hsic有类似退火效应的作用。这些研究结果可以为n型6hsic的生产及其可能的应用提供有效的参考价值。