%0 Journal Article
%T 6h-sicγ辐照的正电子研究
%A 王海云
%J 南京邮电大学学报(自然科学版)
%P 34-36
%D 2008
%X 用正电子湮没寿命谱(pals)方法对经过不同剂量γ辐照的n型6hsic内的缺陷进行研究。实验表明，辐照可以使样品内部产生单空位缺陷vc。对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现,低剂量的γ辐照对n型6hsic有类似退火效应的作用。这些研究结果可以为n型6hsic的生产及其可能的应用提供有效的参考价值。
%K 正电子
%K 缺陷
%K 半导体
%U http://nyzr.njupt.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200806007&flag=1