化学气相沉积法制备sn2s3一维纳米结构阵列

运用化学气相沉积法(cvd),直接以sn和s为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积sn2s3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(sem)图片显示:sn2s3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.x射线衍射（xrd）谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明sn2s3一维纳米结构是带隙为2.0ev的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对sn2s3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(v-s)生长机理.